عنصر المرشح المغلف بمقاوم للضوء

يؤدي تقلص عرض الخط في تصنيع الدوائر المتكاملة إلى زيادة الطلب على التحكم في التلوث في كل خطوة من خطوات تصنيع أشباه الموصلات.

يُعد الترشيح عند نقطة الاستخدام (POU) لمقاومات الضوء إحدى الطرق الأساسية المستخدمة للتحكم في تلوث الجسيمات على سطح الرقاقة أثناء عمليات الطلاء.

أدى الدفع نحو الترشيح الأكثر إحكامًا إلى إدخال أغشية 0.05 ميكرومتر إلى جانب الأغشية التقليدية 0.10 ميكرومتر لتوزيع مقاوم الضوء.

يثير المستخدمون النهائيون في بعض الأحيان مخاوف من أن الترشيح الأكثر إحكامًا قد يؤدي إلى تلف مقاوم الضوء نفسه - مما يغير الوزن الجزيئي أو اللزوجة أو الحساسية للضوء.

This study evaluates 0.05µm and 0.10µm Pall Falcon® filters dispensing Microposit S1813 photoresist to reduce surface defects on the wafer.

لم يُظهر كروماتوغرافيا النفاذية الهلامية (GPC) على مقاوم الضوء المرشح وغير المرشح أي تغيير في الوزن الجزيئي للمكونات الحساسة للضوء.

لم تُظهر قياسات اللزوجة وسُمك الطلاء عدم وجود فقد في المواد الصلبة التي من شأنها أن تؤثر على سُمك الطلاء على الرقاقة.

أظهر تعريض خط G احتفاظه بالسرعة الضوئية، مما يؤكد عدم وجود تلف في الراتنج أو المكونات الحساسة للضوء.

تُظهر النتائج أن الترشيح خطوة إيجابية نحو تقليل تلوث سطح الرقاقة دون المساس بأداء مقاوم الضوء.